北京时间12月12日晚间音讯，据国外新闻媒体报道，三星电子将对其间国芯片工厂添加80亿美元的出资，以促进NAND闪存芯片的出产。
三星的此次出资正值全球内存商场估计于下一年反弹之际。据估计，因为供给有限，以及对5G设备和网络需求的不断上升，下一年全球内存芯片商场将呈现反弹。
三星是世界上最大的NAND闪存芯片制造商，NAND闪存芯片能够永久保存数据，遍及用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。
三星2017年曾宣告，未来三年将向出产NAND闪存芯片的西安工厂出资70亿美元。在此之前，三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂出资了108亿美元。
此次80亿美元的出资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段出资，之前的 108亿美元为一期出资。二期项目总出资150亿美元，第一阶段出资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。
二期项目估计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产量300亿元。
三星在NAND闪存范畴的竞争对手包含韩国的SK Hynix、美国的美光科技和日本的东芝公司。此外，几家我国公司也曾企图进入该商场。
本年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣告，已开端量产根据Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满意固态硬盘、嵌入式存储等干流商场使用需求。(李明)
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