群众所知的是，DRAM存储器商场及先进的工艺集中度很高，当时被少量几家厂商把握，据我国闪存商场ChinaFlashMarket发布的多个方面数据显现，2019年，在全球DRAM内存商场，三星独占46%的商场占有率，海力士占29%，美光占到的商场为21%。
在DRAM内存的春风一波波袭来时，工艺迭代、产品迭代及产能操控，成了DRAM存储器厂商进步盈余才能的要点。而为了更好的进步出产效益及拉大比赛距离，DRAM存储大厂已竞相推动下一代工艺技能。
关于DRAM存储器制程工艺，现在先进的DRAM器材均在18nm-15nm区间徜徉，开展缓慢，总是无法做出打破。三星作为内存龙头一向致力于推动DRAM制程开展，从上一年起就有音讯传出将在DRAM制程中引入EUV（极紫外光刻）技能。
自上一年开端，有音讯称SK海力士现已向荷兰ASML下单购买EUV光刻机设备，并有意使用于DRAM制程，可是SK海力士官方并无承认。现在SK海力士最先进的DRAM产品为第三代10nm级（1Z）DRAM，且该产品较上一代1Y产品出产功率进步了约27%，无需极紫外光技能即可出产。
美光在三家中对EUV技能的情绪最为保存，有音讯称，美光推延了EUV的导入，或许推延至1γnm技能之后，详细什么时刻不确定。现在，美光大规划出产的制程为1Znm工艺，下一代微细化工艺技能被命名为1α、1β和1γnm。
日前，三星宣告现已成功出货了100万个依据EUV技能的10nm级（D1X）DDR4模块。此外，三星还表明，从第四代10nm级（D1α）或更先进的14nm级DRAM存储器开端，三星会将EUV技能全面使用在下一代DRAM产品中。估计将从2021年开端批量出产依据D1α的DDR5和LPDDR5，将使12英寸晶圆的出产功率进步一倍。
实际上，EUV减少了多重图形制造中的重复过程，并进步了图画的分辨率，然后进步了功能、产值并缩短了开发时刻。除了晶圆代工逻辑工艺选用EUV成为趋势，包含台积电、三星在7nm开端选用EUV技能后，三星方案扩展使用至DRAM工艺。
此前有音讯称，三星斥资33.8亿美元向ASML收购20台EUV光刻机，不只用于7/5nm等逻辑工艺，还用在DRAM内存芯片出产上。
作为全球首家在DRAM内存上引入EUV技能的大厂，三星早在2019年11月便已选用EUV技能出产1Z nm的DRAM内存。不过，据知情人士泄漏，三星在初期的用量不大，在华城17产线与晶圆代工事业部同享EUV设备的方法来进行，然后平泽工厂也会发动EUV技能量产DRAM内存，显现三星DRAM正式走向EUV技能。
2019年第4季度，在DRAM跌入低谷时，三星成为唯一在DRAM事务上扭亏为盈的主力厂商，原因便是经过向1Y工艺过渡，降低了出产所带来的本钱。2020年，DRAM主力厂商将逐步从1Y向1Z过渡。依据三星测算，1Z纳米DRAM不必EUV设备的情况下，也比现在1Y纳米DRAM产能进步20％。
三星的1Z纳米工艺归于第三代10nm级工艺，但这不代表10nm工艺。现在10nm工艺主要被分为1Xnm、1Ynm、1Znm等，这是由于DRAM在进步小于20nm的制程变得十分困难，所以DRAM内存工艺的线宽目标不再那么准确；而1Xnm工艺相当于16nm-19nm，1Ynm工艺相当于14nm-16nm，1Znm工艺大概是12nm-14nm等级，在这之后还有1α、1β及1γ工艺。
在三星率先将EUV技能导入1Z纳米DRAM后，别的两大DRAM存储器厂商——海力士和美光，也泄漏将考虑评价选用EUV技能，业界预期将或许在1α纳米或1β纳米代代开端导入。
据悉，SK海力士在韩国利川市新建的DRAM出产工厂中，研制内含EUV技能的DRAM存储器出产技能。更有音讯称，SK海力士现已向ASML下单购买EUV光刻设备，并有意使用于DRAM制程工艺，不过海力士官方对此并没承认。现在SK海力士最先进的DRAM产品为第三代10nm级（1Z）DRAM，较上一代1Y产品出产功率进步了约27％，无需EUV技能就可出产。
三星积极地导入EUV技能，海力士也在跟进，美光的动作好像略显保存。此前美光在2018年曾提过，即便到了1α及1β工艺节点，也没有用EUV技能的必要性，不过后来美光情绪呈现改变，并表明从进入1Z纳米之后将会继续评价用EUV技能的DRAM本钱效益，不扫除在适宜时刻点导入EUV设备。有音讯称，美光推延了EUV的导入，或许推延至1γnm技能后，详细什么时刻暂时不确定。
跟着上亿美元的EUV设备导入，意味着10nm DRAM工艺比赛升温，也将极大进步DRAM先进工艺范畴的准入门槛。在DRAM存储器厂商连续进军1Znm工艺，并布局引入EUV光刻机技能后，对国内DRAM存储器工业必然会形成必定影响。
现在，国内DRAM内存范畴排名榜首的本乡厂商长鑫存储，用的是10G1工艺出产DRAM内存，也便是10nm级榜首代工艺，更切当地说是19nm工艺，跟三星比较在技能上落后了两三代。但从长鑫存储的规划图得知，下一代将推出第二代10G3（17nm）技能，方案在2021年完结对17nm工艺技能的研制，即国产1Xnm工艺将在2021年完结，与世界干流DRAM厂商比较也是有着多达5年的距离。
与逻辑制程工艺的途径类似，DRAM的物理极限约为10nm左右。从2016年起，DRAM厂商开端用1Xnm节点制不断迫临物理极限。现在三星现已推动1Znm工艺，后续进入1anm工艺将愈加困难。业内人士表明，跟着后续工艺难度的加大，或许将很难保持一年一个工艺的进展，是国内厂商追逐世界一流存储器大厂，在工艺上缩小距离的好时机。
