这几年，“弯道超车”这个本不该在科技圈，尤其是在半导体范畴呈现的字眼，却经常被咱们用在半导体范畴上。
由于相对于世界领先水平而言，国内半导体水平是落后许多的，如果是中规中矩的跟在后边追是很难追上的，只要弯道超车才有时机。
而事实上，这些年的确也有弯道超车的比方发作的半导体范畴，比方今日给咱们介绍的这一个产品便是了。
前几天，长江存储宣告其128层QLC 3D NAND闪存（类型：X2-6070）研制成功，不仅如此，这颗芯片还改写了三项纪录，那便是X2-6070具有现在业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量。
这件工作其实也代表着建立仅4年左右的长江存储，现已差不多可以比美46岁的三星内存了。咱们咱们都知道三星做内存是从1974年开端的，现在在NAND闪存上的技能也是128层堆叠技能，或许三星在研制的下一代技能，现已有了开展，但至少现在表现出来的技能也便是这个水平。
长江存储建立于2016年，建立的布景便是在其时我国内存芯片自给率为0，但却是全球最大的需求国，每年进口的内存芯片超过了1000多亿美元，2018年达到了1230多亿美元。
所以紫光集团联合国家集成电路工业出资基金、湖北省科投等，建立长江存储，来霸占闪存技能，为的便是可以让国产内存兴起，削减对国外产品的依靠。
当长江存储研制32层堆叠技能时，三星等厂商早已在64级堆叠技能上开展了许多年，当长江存储进入64层堆叠技能时，三星等厂商已进入128层堆叠技能。
后来长江存储推出的打破性技能——Xtacking技能。该技能将为3D NAND闪存带来史无前例的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
所以长江存储靠着这个Xtacking技能跳过了96层堆叠技能，直接进入到现在的128层堆叠技能，完成了真实的“弯道超车”。
而跟着长江存储的这款128层QLC 3D NAND闪存发布，也就从另一方面代表着长期以来被美、日、韩把控的内存定价权或被我国厂商打破了，究竟我国厂商一旦完成了0的打破，从0到10所要花的时刻不会太长的，你觉得呢？
